Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/5715
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДружинін, А. О.-
dc.contributor.authorОстровський, І. П.-
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.-
dc.contributor.authorНічкало, С. І.-
dc.date.accessioned2010-06-23T08:46:16Z-
dc.date.available2010-06-23T08:46:16Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationВирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Дванадцята відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету “Львівська політехніка” з проблем електроніки : тези доповідей, 7–9 квітня 2009 року / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009. – С. 29.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/5715-
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleВирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксіїuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Дванадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – 2009 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
25.pdf425.16 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.