https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/47350| Title: | Структура та деякі електрофізичні властивості аморфних і кристалічних плівок селеніду ртуті |
| Authors: | Андрейко, А. М. Білинський, Ю. М. Гончар, Ф. М. |
| Affiliation: | Національний університет “Львівська політехніка” |
| Bibliographic description (Ukraine): | Андрейко А. М. Структура та деякі електрофізичні властивості аморфних і кристалічних плівок селеніду ртуті / А. М. Андрейко, Ю. М. Білинський, Ф. М. Гончар // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 542 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 95–98. |
| Bibliographic description (International): | Andreiko A. M. Struktura ta deiaki elektrofizychni vlastyvosti amorfnykh i krystalichnykh plivok selenidu rtuti / A. M. Andreiko, Yu. M. Bilynskyi, F. M. Honchar // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 542 : Elementy teorii ta prylady tverdotiloi elektroniky. — P. 95–98. |
| Is part of: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 542 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2005 |
| Journal/Collection: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” |
| Issue: | 542 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки |
| Issue Date: | 1-Mar-2005 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” |
| Place of the edition/event: | Львів Lviv |
| UDC: | 621 |
| Number of pages: | 4 |
| Page range: | 95-98 |
| Start page: | 95 |
| End page: | 98 |
| Abstract: | Було винайдено аморфні та кристалічні плівки HgSe завтовшки 1000 А. У
кристалічному зразку визначити ширину забороненої зони 0.2 eV, концентрацію і
рухливість носіїв. В аморфних зразках визначити ширину забороненої зони 1 ev. При
температурі рідкого азоту зразки володіють лише р-провідністю, тоді як при
температурах, вищих від температури рідкого азоту – лише n-провідністю. Структуру
аморфного HgSe вивчали електронографічно, і було показано, що координаційне число
не змінюється з переходом з аморфного в кристалічний стан. В аморфних зразках було
також визначено середньоквадратичне зміщення атомів. Amorphous and monocrystal films of HgSe compound with thickness of 1000 A were investigated. In crystal sample it was determined the forbidden gap (0,2 eV), concentration and mobility of carriers. In amorphous samples it was determined the forbidden gap (1 ev). At liquid nitrogen temperature the samples possess only the p-type conductivity while a temperature higher the one of liquid nitrogen – only the n-type conductivity. The structure of amorphous HgSe was investigated electronographically and it was shown that coordination number does not change with transition from amorphous into crystal state. In amorphous samples it was also determined the average square atom shift. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47350 |
| Copyright owner: | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2005 © Андрейко А. М., Білинський Ю. М., Гончар Ф. М., 2005 |
| References (Ukraine): | 1. Абрикосов Н. Х. (и др.). Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. – М.: Наука, 1967. – 175 с. 2. Андриевский А. И. (и др.). Определение параметров ближнего порядка в аморфных веществах по кривой радиального распределения с учётом эффекта обрыва // УФЖ, 1968, Вип. 13, №10, – с. 1596. 3. Елпатьевская О. Д. (и др.). Об устойчивости кристаллической структуры системы твёрдых растворов HgSe-HgTe // Журнал технической физики, 1956, вип. 26, №10, – с. 2154–2156. 4. Набитович И. Д. (и др.). Монокристаллические плёнки HgSe и некоторые их свойства // Тр. I научн. конф. по нитевидным кристаллам и неферромагнитным плёнкам, 1970, ч. 2, – с. 151–155. 5. Набитович И. Д. (и др.). Определение когерентной интенсивности и интенсивности фона по экспериментальной кривой интенсивности // Кристаллография, 1967, Вип. 4, № 12, – с.584–590. 6. Набитович И. Д. (и др.). Про структуру тонких шарів HgSe // Фізична електроніка, 1969, вип. 1, № 1, – с. 62–67. 7. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. – М.: Высшая школа, 1968, – с. 488. 8. Стецив Я. И. Определение координационных чисел и средних квадратичных смещений по кривым радиального распределения // Кристаллография, 1973, вип. 3, № 18, – с. 484–486. 9. Стецив Я. И. Новый способ определения нормирующего множителя при электронографических исследованиях структуры аморфных веществ // Кристаллография, 1973, Вип.2, № 18, – с.257–262. |
| References (International): | 1. Abrikosov N. Kh. (and other). Poluprovodnikovye soedineniia, ikh poluchenie i svoistva, M., Nauka, 1967, 175 p. 2. Andrievskii A. I. (and other). Opredelenie parametrov blizhneho poriadka v amorfnykh veshchestvakh po krivoi radialnoho raspredeleniia s uchetom effekta obryva, UFZh, 1968, Iss. 13, No 10, P. 1596. 3. Elpatevskaia O. D. (and other). Ob ustoichivosti kristallicheskoi struktury sistemy tverdykh rastvorov HgSe-HgTe, Zhurnal tekhnicheskoi fiziki, 1956, Iss. 26, No 10, P. 2154–2156. 4. Nabitovich I. D. (and other). Monokristallicheskie plenki HgSe i nekotorye ikh svoistva, Tr. I nauchn. konf. po nitevidnym kristallam i neferromahnitnym plenkam, 1970, ch. 2, P. 151–155. 5. Nabitovich I. D. (and other). Opredelenie koherentnoi intensivnosti i intensivnosti fona po eksperimentalnoi krivoi intensivnosti, Kristallohrafiia, 1967, Iss. 4, No 12, P.584–590. 6. Nabytovych Y. D. (and other). Pro strukturu tonkykh shariv HgSe, Fizychna elektronika, 1969, Iss. 1, No 1, P. 62–67. 7. Ormont B. F. Vvedenie v fizicheskuiu khimiiu i kristallokhimiiu poluprovodnikov, M., Vysshaia shkola, 1968, P. 488. 8. Stetsiv Ia. I. Opredelenie koordinatsionnykh chisel i srednikh kvadratichnykh smeshchenii po krivym radialnoho raspredeleniia, Kristallohrafiia, 1973, Iss. 3, No 18, P. 484–486. 9. Stetsiv Ia. I. Novyi sposob opredeleniia normiruiushcheho mnozhitelia pri elektronohraficheskikh issledovaniiakh struktury amorfnykh veshchestv, Kristallohrafiia, 1973, Iss.2, No 18, P.257–262. |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2005. – №542 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2005n542_Andreiko_A_M-Struktura_ta_deiaki_elektrofizychni_95-98.pdf | 1.13 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| 2005n542_Andreiko_A_M-Struktura_ta_deiaki_elektrofizychni_95-98__COVER.png | 351.34 kB | image/png | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.