| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Hotra, Z. | |
| dc.contributor.author | Jakubowska, M. | |
| dc.contributor.author | Szczepański, Z. | |
| dc.date.accessioned | 2019-08-28T09:46:40Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-28T09:46:40Z | - |
| dc.date.created | 2001-03-27 | |
| dc.date.issued | 2001-03-27 | |
| dc.identifier.citation | Hotra Z. New thick film materials for piezoresistive ceramic pressure sensor / Z. Hotra, M. Jakubowska, Z. Szczepański // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 250–255. | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45312 | - |
| dc.description.abstract | В даній статті представлено конструкцію керамічного сенсора тиску, який
базується на п'єзорезистивному ефекті в товстоплівкових резисторах,
виготовлених з паст з високим значенням розмірного коефіцієнта. Для
резисторів, використаних в даному сенсорі, розроблено товстонлівкові пасти, які
базуються на діоксиді рутенію і свинцево-боро-силікатному склі. Представлено
характеристики і параметри сенсорів тиску. | |
| dc.description.abstract | The construction of ceramic pressure sensor based on piezoresistive effect of thick
film resistors made of paste with high Gauge Factor is presented. Thick film paste
based on ruthenium dioxide and lead-boro-silicate glass has been elaborated for
resistors applied in the sensor. The characteristics of the resistors as well as the
parameters of the pressure sensor are also presented. | |
| dc.format.extent | 250-255 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації, 2002 | |
| dc.title | New thick film materials for piezoresistive ceramic pressure sensor | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002 | |
| dc.rights.holder | © Hotra Z., Jakubowska M., Szczepański Z., 2002 | |
| dc.contributor.affiliation | National University "Lviv Polytechnic" | |
| dc.contributor.affiliation | Rzeszow University of Technology | |
| dc.contributor.affiliation | Institute of Electronic Material Technology, Warsaw | |
| dc.contributor.affiliation | Technical University of Warsaw | |
| dc.format.pages | 6 | |
| dc.identifier.citationen | Hotra Z. New thick film materials for piezoresistive ceramic pressure sensor / Z. Hotra, M. Jakubowska, Z. Szczepański // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — P. 250–255. | |
| dc.relation.references | 1. Łyska Jan., Stolarski R, Krzemowe struktury mikromechaniczne - wytwarzanie Elektronika No 2, 1997, str 21-24, in Polish. | |
| dc.relation.references | 2. Holmes P.J, Changes in Thick Film Resistor Values Dm to Substrate Flexure, Microelectronics Reliability, v o ll2.1973, str. 395. | |
| dc.relation.references | 3. Dell Aqua Ł, Thick Film Pressure Sensors performance and Practical Applications, Proc. o f 3rd European Hybrid Microelectronics Conference , Avignon 1981, str. 121. | |
| dc.relation.references | 4. Hrovat M. et all, Correletion between microstructure and gauge factor of thick film resistor, J. o f Materials Science Letters, no 14 (1995) str. 1048. | |
| dc.relation.references | 5. Prudenżiati M., Morten B:, Piezoresistive Properties o f Thick Film Resistors. An Overview, Hybrid Circuits, No 10 1986, str. 20. | |
| dc.relation.references | 6. Bergfried D., Kunht W., Advances in Thick Film Pressure Sensors using free Supporting Structures, Proc. of 7th European Hybrid Microelectronic Conf, 1987, Hamburg, str. 224-234. | |
| dc.relation.referencesen | 1. Łyska Jan., Stolarski R, Krzemowe struktury mikromechaniczne - wytwarzanie Elektronika No 2, 1997, str 21-24, in Polish. | |
| dc.relation.referencesen | 2. Holmes P.J, Changes in Thick Film Resistor Values Dm to Substrate Flexure, Microelectronics Reliability, v o ll2.1973, str. 395. | |
| dc.relation.referencesen | 3. Dell Aqua Ł, Thick Film Pressure Sensors performance and Practical Applications, Proc. o f 3rd European Hybrid Microelectronics Conference , Avignon 1981, str. 121. | |
| dc.relation.referencesen | 4. Hrovat M. et all, Correletion between microstructure and gauge factor of thick film resistor, J. o f Materials Science Letters, no 14 (1995) str. 1048. | |
| dc.relation.referencesen | 5. Prudenżiati M., Morten B:, Piezoresistive Properties o f Thick Film Resistors. An Overview, Hybrid Circuits, No 10 1986, str. 20. | |
| dc.relation.referencesen | 6. Bergfried D., Kunht W., Advances in Thick Film Pressure Sensors using free Supporting Structures, Proc. of 7th European Hybrid Microelectronic Conf, 1987, Hamburg, str. 224-234. | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.citation.issue | 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації | |
| dc.citation.spage | 250 | |
| dc.citation.epage | 255 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.subject.udc | 539 | |
| Appears in Collections: | Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2002. – №443
|
