Skip navigation
DSpace logo
  1. Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
  2. Електронний архів Науково-технічної бібліотеки
  3. Вісники та науково-технічні збірники, журнали
  4. Радіоелектроніка та телекомунікації
  5. Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2002. – №443

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/45296
Title: Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі
Authors: Воронін, В. О.
Губа, С. К.
Литвин, М. О.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Фізико-механічний інститут імені Г. В. Карпенка НАН України
Bibliographic description (Ukraine): Воронін В. О. Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвин // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 169–174.
Bibliographic description (International): Voronin V. O. Odnokomponentna model epitaksiinoho rostu GaAs z hazovoi fazy pry perekhidnomu rezhymi / V. O. Voronin, S. K. Huba, M. O. Lytvyn // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — P. 169–174.
Is part of: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації, 2002
Journal/Collection: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”
Issue: 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації
Issue Date: 27-Mar-2001
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Place of the edition/event: Львів
UDC: 539.291.1
Number of pages: 6
Page range: 169-174
Start page: 169
End page: 174
Abstract: Описується математична модель росту арсеніду галію в хлоридній газотранспортній системі в режимі, при якому швидкість росту залежить від швидкості масодоставки і активаційних процесів на поверхні підкладки.
The mathematical model of growth of gallium arsenide in chlorid gas transport system in a mode at which growth rate depends on speed of mass bringing and activation processes on a surface of a substrate is described.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45296
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
© Воронін В. О., Губа С. К., Литвин М. О., 2002
References (Ukraine): 1. Ганкин В.И., Грачева Т.Г, Колявына Т.М., и др. Наивысише параметры основных классов изделий электронной техники, достигнутые к 1988 году // Зарубежная электронная техника. №7. - Вып. 321. - С. 157.
2. Иден П.С. Сравнение перспективности различных приборов на GaAs для сверхскоростных СБИС // ТИИЭР, Т. 70, №1, 1982, С. 8-17.
3. Shaw D. W., Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of 11I-V compounds // J. Crystal Growth,v.31, Ml, 1975, p i 30-141.
4. Mizuno D, Watanabe H, Vapor growth kinetics of III-V compounds in a hyrogen - inert gas mihed carrier system / / J Cryst. Growth, v. JO, N2, 1975, p.240-248.
5. Вороній B.O., Губа С.К, Литвин М.О., Рибачук В.О. Числове моделювання росту шарів арсеніду галлію в хлоридній газотранспортній системі //Вісник НУ “Львівська політехніка”, Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки, N 427, 2001- С. 3-9.
6. Keckes A., Binder Я, Gofmann G., Koukitu A., Schonherr Е. Growth of GaP doping supper lattices by isotermal vapor phase epitahy // Crystal Properties and Preparation vol. 32-34, 1991 P. 520-525.
7. Bulsary A.B., Orasen M.E., Goice J. The Influence of Axial on Convective Heat and Mass Transfer in a Horisontal CVD Reactor // J. Crystal Growth. N1-2, V.92, 1988 P. 294-310.
References (International): 1. Hankin V.I., Hracheva T.H, Koliavyna T.M., and other Naivysishe parametry osnovnykh klassov izdelii elektronnoi tekhniki, dostihnutye k 1988 yearu, Zarubezhnaia elektronnaia tekhnika. No 7, Iss. 321, P. 157.
2. Iden P.S. Sravnenie perspektivnosti razlichnykh priborov na GaAs dlia sverkhskorostnykh SBIS, TIIER, V. 70, No 1, 1982, P. 8-17.
3. Shaw D. W., Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of 11I-V compounds, J. Crystal Growth,v.31, Ml, 1975, p i 30-141.
4. Mizuno D, Watanabe H, Vapor growth kinetics of III-V compounds in a hyrogen - inert gas mihed carrier system, / J Cryst. Growth, v. JO, N2, 1975, p.240-248.
5. Voronii B.O., Huba S.K, Lytvyn M.O., Rybachuk V.O. Chyslove modeliuvannia rostu shariv arsenidu halliiu v khlorydnii hazotransportnii systemi //Visnyk NU "Lvivska politekhnika", Elementy teorii ta prylady tverdotilnoi elektroniky, N 427, 2001- P. 3-9.
6. Keckes A., Binder Ia, Gofmann G., Koukitu A., Schonherr E. Growth of GaP doping supper lattices by isotermal vapor phase epitahy, Crystal Properties and Preparation vol. 32-34, 1991 P. 520-525.
7. Bulsary A.B., Orasen M.E., Goice J. The Influence of Axial on Convective Heat and Mass Transfer in a Horisontal CVD Reactor, J. Crystal Growth. N1-2, V.92, 1988 P. 294-310.
Content type: Article
Appears in Collections:Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2002. – №443

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2002n443___Radioelektronika_ta_telekomunikatsii_Voronin_V_O-Odnokomponentna_model_169-174.pdf1.09 MBAdobe PDFView/Open
2002n443___Radioelektronika_ta_telekomunikatsii_Voronin_V_O-Odnokomponentna_model_169-174__COVER.png3.17 MBimage/pngView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.