| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Смеркло, Л. М. | |
| dc.contributor.author | Невзоров, В. В. | |
| dc.contributor.author | Беген, В. І. | |
| dc.contributor.author | Невзорова, Т. В. | |
| dc.contributor.author | Галкіна, Л. В. | |
| dc.date.accessioned | 2019-08-28T09:46:09Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-28T09:46:09Z | - |
| dc.date.created | 2001-03-27 | |
| dc.date.issued | 2001-03-27 | |
| dc.identifier.citation | Принцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ / Л. М. Смеркло, В. В. Невзоров, В. І. Беген, Т. В. Невзорова, Л. В. Галкіна // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 95–99. | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45280 | - |
| dc.description.abstract | Розглянута структура та принципи побудови САПР для проектування
потужних МОН ПТ. Розглянуті особливості МОН ПТ, які заважають прийняттю
оптимальних конструкторсько-технологічних рішень. Показано, що САПР для
потужних МОН ПТ повинна сприяти забезпеченню високих техніко-економічних
показників транзисторів, які проектуються. | |
| dc.format.extent | 95-99 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації, 2002 | |
| dc.title | Принцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002 | |
| dc.rights.holder | © Смеркло Л. М., Невзоров В. В., Беген В. І., Невзорова Т. В., Галкіна Л. В., 2002 | |
| dc.contributor.affiliation | Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет "Львівська політехніка" | |
| dc.format.pages | 5 | |
| dc.identifier.citationen | Pryntsyp pobudovy osnovnykh komponentiv SAPR dlia potuzhnykh MON PT / L. M. Smerklo, V. V. Nevzorov, V. I. Behen, T. V. Nevzorova, L. V. Halkina // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — P. 95–99. | |
| dc.relation.references | 1. Смеркло Л.М., Невзоров В.В., Кучмій Г.Л., Конструктцвно-технологічні особливості потужних ДМОН транзисторів / Міжн. наук,-тех. конф. «Сучасні проблеми автоматизованої розробки і виробництва радіоелектронних засобів, застосування засобів зв язку та підготовки інженерних кадрів (27.02 - 3.03. 1995 р), Львів, Україна, с. 93. | |
| dc.relation.references | 2. Sun S.C., Plummer J.D., Moleling of the on-resistance of LDMOS, VDMOS and DMOS power transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. - 1980. - V.ED-27. - N2. - p. 356-367, | |
| dc.relation.references | 3. Hower P.L, Heng T.M.S., Huang C. Optimum Design o f Power MOSFET. International Electron Devices meeting, 1983, December 5-6-7, P. 87-90. | |
| dc.relation.references | 4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. /Пер. с англ, под.peд. Р.А., Суриса. - М.: Мир, 1984. - 455 с. | |
| dc.relation.references | 5. Smerklo L., Behen V., Masiutïn G., "Micron" - computer aided design system for engineering technical documentation and photomasks of hybrid integrated modules. Proceedings of the Vl-th International Conference CApSM 2001, Lviv - Slavsko, UKRAINE, p. 255. | |
| dc.relation.referencesen | 1. Smerklo L.M., Nevzorov V.V., Kuchmii H.L., Konstrukttsvno-tekhnolohichni osoblyvosti potuzhnykh DMON tranzystoriv, Mizhn. nauk,-tekh. konf. "Suchasni problemy avtomatyzovanoi rozrobky i vyrobnytstva radioelektronnykh zasobiv, zastosuvannia zasobiv zv yazku ta pidhotovky inzhenernykh kadriv (27.02 - 3.03. 1995 r), Lviv, Ukraine, P. 93. | |
| dc.relation.referencesen | 2. Sun S.C., Plummer J.D., Moleling of the on-resistance of LDMOS, VDMOS and DMOS power transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 1980, V.ED-27, N2, p. 356-367, | |
| dc.relation.referencesen | 3. Hower P.L, Heng T.M.S., Huang C. Optimum Design o f Power MOSFET. International Electron Devices meeting, 1983, December 5-6-7, P. 87-90. | |
| dc.relation.referencesen | 4. Zi S. Fizika poluprovodnikovykh priborov: V 2 kn. /Per. s anhl, pod.ped. R.A., Surisa, M., Mir, 1984, 455 p. | |
| dc.relation.referencesen | 5. Smerklo L., Behen V., Masiutïn G., "Micron" - computer aided design system for engineering technical documentation and photomasks of hybrid integrated modules. Proceedings of the Vl-th International Conference CApSM 2001, Lviv - Slavsko, UKRAINE, p. 255. | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.citation.issue | 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації | |
| dc.citation.spage | 95 | |
| dc.citation.epage | 99 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.subject.udc | 621.382.323 | |
| Appears in Collections: | Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2002. – №443
|
