| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дорош, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Кучмій, Г. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2019-08-21T13:26:19Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-21T13:26:19Z | - |
| dc.date.created | 2002-03-26 | |
| dc.date.issued | 2002-03-26 | |
| dc.identifier.citation | Дорош Н. В. Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску / Н. В. Дорош, Г. Л. Кучмій // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 11–14. | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45263 | - |
| dc.description.abstract | Наведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу
дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини. | |
| dc.description.abstract | The technology of laser-stimulated boron diffusion in silicon for obtaining dopant
concentration in order of 1020 cm'3 at reduction of temperature and diffusing annealing
time with purpose of sensitivity improvement in microelectronic pressure sensors is
presented in the paper. The method of determination of laser threshold power for
creation of defective region in silicon wafer is presented. | |
| dc.format.extent | 11-14 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002 | |
| dc.title | Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002 | |
| dc.rights.holder | © Дорош Н. В., Кучмій Г. Л., 2002 | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | |
| dc.format.pages | 4 | |
| dc.identifier.citationen | Dorosh N. V. Pidvyshchennia chutlyvosti mikroelektronnykh sensoriv tysku / N. V. Dorosh, H. L. Kuchmii // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 11–14. | |
| dc.relation.references | 1. Ваганов В. И. Интегральные тензопреобразователи. - М, 1983. | |
| dc.relation.references | 2. Кучмій Г. Л. Мироненко М. Л. Контроль глибини дифузії при виготовленні напівпровідникових інтегральних мікросхем : Матеріали наукової конференції викладачів, співробітників та студентів. - Чернівці, 1995. - Т, 2. - С. 36. | |
| dc.relation.referencesen | 1. Vahanov V. I. Intehralnye tenzopreobrazovateli, M, 1983. | |
| dc.relation.referencesen | 2. Kuchmii H. L. Myronenko M. L. Kontrol hlybyny dyfuzii pry vyhotovlenni napivprovidnykovykh intehralnykh mikroskhem : Materialy naukovoi konferentsii vykladachiv, spivrobitnykiv ta studentiv, Chernivtsi, 1995, T, 2, P. 36. | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.citation.issue | 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки | |
| dc.citation.spage | 11 | |
| dc.citation.epage | 14 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.subject.udc | 621.315.592 | |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454
|
