https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/45261| Title: | Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик |
| Authors: | Дружинін, А. О. Островський, І. П. Лях, Н. С. |
| Affiliation: | Національний університет “Львівська політехніка” |
| Bibliographic description (Ukraine): | Дружинін А. О. Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Н. С. Лях // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 3–7. |
| Bibliographic description (International): | Druzhynin A. O. Providnist i mahnitoopir nytkopodibnykh krystaliv Si-Ge v oblasti perekhodu metal-dielektryk / A. O. Druzhynin, I. P. Ostrovskyi, N. S. Liakh // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 3–7. |
| Is part of: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002 |
| Journal/Collection: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” |
| Issue: | 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки |
| Issue Date: | 26-Mar-2002 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” |
| Place of the edition/event: | Львів |
| UDC: | 621.315.592 |
| Number of pages: | 5 |
| Page range: | 3-7 |
| Start page: | 3 |
| End page: | 7 |
| Abstract: | Вивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК
Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У
зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по
локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного
боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем. Character of iow température conductivity and magnétorésistance of Si-Ge whiskers with Ge content up to 3 at.% near metal-insulator transition (MIT) was studied. In the sampies from the dielectric side of MIT magnétorésistance is determined by conductivity on locaiizated states of Hubbard zones. For metallic whiskers exponential dependence of magnétorésistance on magnetic field is observed. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45261 |
| Copyright owner: | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002 © Дружинін А. О., Островський І. П., Лях Н. С., 2002 |
| References (Ukraine): | 1. Бакиров М.Я. Электронные приборы на основе твердых растворов Ge-Si. - Баку, 1986. - 140 с. 2. Дружинін А. О., Лавитська О.М., Варшава С.С,, Островський І.П., Лях К. С. Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Si-Ge //В існик Н У ”Л П ” "Електроніка ”, 2001 - № 423. - С. 7 6 - 80. 3. Шкловский В.И , Эфос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М., 1979. - 416 с. 4. Rafey E.El., SA. EL-Atawy. Magnetoresistance of intermediate concentration n-Ge at helium temperature // Can. J. Phys., 1987. - V. 65. - P. 88. 5. Gastner T.G., Shafarman W.N. Brooks J.S., Martin K.P. The metal-insulator transiton in n-type Si in high magnetic fields// Solid State Phys, 1988. ~ № 5. - P. 366. 6. Druzhinin A.? Lavitska E., Maryamova Letal. Studies of Pieoresistance and Piezomagnetoresistance in Si Whiskers at Cryogenic Temperatures / / Cryst. Res. TechnoL, 2002. - Vol. 37. - P. 243 - 257. 7. Байцар Р.L., Варшава C.C., Островський І.П. Особливості морфології складнолегованих ниткоподібних кристалів Si-Ge / / Вісник ДУ Львівська політехніка”Електроніка” - № 382. - 1999. - С. З - 7. 8. Druzhinin А., Hortynska /., Maiyamova L., Lavitska E. et.al. Investigation of free and strained germanium whiskers at cryogenic temperatures // Proceedings SPIE, 2000. - VoL 4413. - P. 143 - І47. 9. Трофимов H.E., Денин A.K. Мурзин В.П, Магнитосопротивление в D зоне: - Препринт. - М , 1989. - 1 2 с. |
| References (International): | 1. Bakirov M.Ia. Elektronnye pribory na osnove tverdykh rastvorov Ge-Si, Baku, 1986, 140 p. 2. Druzhynin A. O., Lavytska O.M., Varshava S.S,, Ostrovskyi I.P., Liakh K. S. Nyzkotemperaturnyi transport nosiiv zariadu v skladnolehovanykh nytkopodibnykh krystalakh Si-Ge //V isnyk N U "L P " "Elektronika ", 2001 - No 423, P. 7 6 - 80. 3. Shklovskii V.I , Efos A.L. Elektronnye svoistva lehirovannykh poluprovodnikov, M., 1979, 416 p. 4. Rafey E.El., SA. EL-Atawy. Magnetoresistance of intermediate concentration n-Ge at helium temperature, Can. J. Phys., 1987, V. 65, P. 88. 5. Gastner T.G., Shafarman W.N. Brooks J.S., Martin K.P. The metal-insulator transiton in n-type Si in high magnetic fields// Solid State Phys, 1988. ~ No 5, P. 366. 6. Druzhinin A.? Lavitska E., Maryamova Letal. Studies of Pieoresistance and Piezomagnetoresistance in Si Whiskers at Cryogenic Temperatures, / Cryst. Res. TechnoL, 2002, Vol. 37, P. 243 - 257. 7. Baitsar R.L., Varshava C.C., Ostrovskyi I.P. Osoblyvosti morfolohii skladnolehovanykh nytkopodibnykh krystaliv Si-Ge, / Visnyk DU Lvivska politekhnika"Elektronika" - No 382, 1999, S. Z - 7. 8. Druzhinin A., Hortynska /., Maiyamova L., Lavitska E. et.al. Investigation of free and strained germanium whiskers at cryogenic temperatures, Proceedings SPIE, 2000, VoL 4413, P. 143 - I47. 9. Trofimov H.E., Denin A.K. Murzin V.P, Mahnitosoprotivlenie v D zone: - Preprint, M , 1989, 1 2 p. |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2002n454___Elementy_teorii_ta_prylady_tverdotiloi_elektroniky_Druzhynin_A_O-Providnist_i_mahnitoopir_3-7.pdf | 147.54 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| 2002n454___Elementy_teorii_ta_prylady_tverdotiloi_elektroniky_Druzhynin_A_O-Providnist_i_mahnitoopir_3-7__COVER.png | 2.79 MB | image/png | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.