Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/42851
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБольшакова, І. А.-
dc.date.accessioned2018-09-25T09:48:49Z-
dc.date.available2018-09-25T09:48:49Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationБольшакова І. А. Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовах / І. А. Большакова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 29–49. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42851-
dc.description.abstractПредставлений неперервний ряд досліджень із створення оригінальних магнітовимірювальих засобів: теоретичні та експериментальні дослідження технології вирощування та легування напівпровідникових кристалів А3В5, дослідження їх електрофізичних властивостей та радіаційної стійкості, створення на їх основі мікросенсорів магнітного поля та магнітовимірювальних приладів, використання їх в техніці, космосі та устаткуванні фізики високих енергій. Presents continuous set of investigations and works on creation of original magnetic measurement facilities: theoretical and experimental investigations of A3B5 semiconductor crystal growth and doping technology, investigations of their electrophysical properties and radiation resistance, creation of magnetic field microsensors and measuring devices, their application in technique, outer space and high energy physics equipment.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleСенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовахuk_UA
dc.title.alternativeSensors and devices for measurement of magnetic field in extremal couditionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.rights.holder© Большакова І. А., 2002uk_UA
dc.contributor.affiliationКерівник Лабораторії магнітних сенсорів Центру “Кристал”uk_UA
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.format.pages29–49-
dc.relation.references1. Controlled growth of oriented amorphous silicon nanowires via a solid-liquid-solid (SLS) mechanism /D.P.Yu, Y.J.Xing,Q.L.Hang and other //Physica. - 2001. - E 9. - P. 305-309. 2. Brudnyi V.N., Grinyew S.N., Stepanov V.E. Physica B. Cond. Matter. - 1995. - 212. - P. 429. 3. Bolshakova I. Improvement of radiation resistance of magnetic field microsensors. Sensors & Actuators: A. Physical. - 1999. - 76. - P. 152-155. 4. Bolshakova I., Koptsev P., Melnyk I., Moskovets M., Krukovsky S., Zayachuk D. Control of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex doping // Crystal Research and Technology. - 2001. Vol. 36. - № 8-10. - P. 989-997. 5. Ивлева B.C., Ольховская Т.И., Слободинова E.H., Хашимов Ф.Р. / Влияние легирую¬щих примесей на изменение свойств монокристаллов антимонида индия // Электрон. тех. Сер. 6: Материалы. - 1982. - В.2(883). - С. 4. 6. Колин Н.Г., Освенский В.Б., Рыгтова H.C., Юрова E.C. Электрические свойства ар- сенида индия, облученного быгстрыгми нейтронами // Физика и химия обработки матери¬алов. - 1986. - № 6. - С. 3-8.uk_UA
dc.citation.conferenceЕлектроніка-
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.subject.udc546.682.86:548.522+621.382.61uk_UA
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №459

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4_29-49.pdf1.49 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.