| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бордун, О. М. | - |
| dc.contributor.author | Бордун, І. М. | - |
| dc.contributor.author | Харамбура, С. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-09-19T10:12:44Z | - |
| dc.date.available | 2018-09-19T10:12:44Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Бордун О. М. Релаксаційні струми деполярзації в ортогерманаті вісмуту / О. М. Бордун , І. М. Бордун, С. Б. Харамбура // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 106–108. – Бібліографія: 12 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42664 | - |
| dc.description.abstract | Досліджено релаксаційні струми деполярзації в монокристалах, кераміках і тонких плівках Bi4Ge3O12 в температурному інтервалі 80 - 295 K. Визначено часи релаксації та енергії активації деполяризації. Встановлено, що при зростанні дефектності кристалічної структури збільшується значення релаксаційного струму і зменшується енергія активації деполяризації.
The relaxation currents of depolarization in single crystals, ceramics and thin films Bi4Ge3O12 was investigated in temperature region 80 - 295 K. The relaxation times and energy activation of depolarization was determinated. At increase of defects of crystalline structure the value of relaxation current increased and value of energy activation of depolarization decreased. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Релаксаційні струми деполярзації в ортогерманаті вісмуту | uk_UA |
| dc.title.alternative | The relaxation currents of depolarization in bismuth orthogermanate | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.rights.holder | © Бордун О. М., Бордун І. М., Харамбура С. Б., 2001 | uk_UA |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.format.pages | 106–108 | - |
| dc.relation.references | 1. Шульгин Б.В., Полупанова Т.И., Кружалов А.В., Скориков В.М. Ортогерманат висмута. Екатеринбург, 1992. 2. Wender S.A // IEEE Trans. Nucl. Sci. 19S3. NS-30. P. 1539 - 1542. 3. Dieguez E., Arizmendi L., Cabrera J.M. // J.Phys. C: Solid State Phys. 19S5. 1S. P. 4777 - 47S3. 4. Melcher C.L. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 19S5. NS-32. P. 545 - 54S. 5. Гусев В.А., Петров С.А. // Журн прикл. спектроскопии. 19S9. 50. С. 627 - 631. 6. Волков А.Р., Полупанова Т.И., Шульгин Б.В., Лебедев В.Н. // Журн. прикл. спектроскопии. 1991. 54. С. 970 - 976. 7. Raymond S.G., Luff B.J., Townsend P.D. et al. // Radiat.Meas. 1994. 23. P. 195 - 202. S. Калентьев В.А., Каргин В.Ф., Каргин Ю.Ф. и др. // Изв.АН СССР.сер.неорг.мат. 19S7. 23. С. 521 - 522. 9. Bordun O. // Phys. Stat. Sol. A. 1999. 176. P. 10S9 - 1091. 10. Тананаев И.В., Шпирт М.Я. Химия германия. М., 1967. 11. Perlman M. // J. Appl. Phys. 1971. 47. P. 2645 - 2652. 12. Perlman M., Under S. // J Electrostatics. 1975. 1. P. 231 -234. | uk_UA |
| dc.citation.journalTitle | Електроніка | - |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.subject.udc | 548.5 | uk_UA |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2001. – №430
|
