| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бончик, О. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Готра, З. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Кияк, С. Г. | - |
| dc.contributor.author | Могиляк, І. А. | - |
| dc.contributor.author | Тростинський, І. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-09-19T10:12:01Z | - |
| dc.date.available | 2018-09-19T10:12:01Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками / О. Ю. Бончик, З. Ю. Готра, С. Г. Кияк, І. А. Могиляк, І. П. Тростинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 101–105. – Бібліографія: назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42663 | - |
| dc.description.abstract | Експериментально досліджено особливості морфології поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені резуль¬тати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (100), (111), (110), а також на площинах, вирізаних під кутом 6° до площини (100) і на аморфних шарах В203, нанесених на поверхню кремнію. The peculiarities of Si surface in the zone of second and millisecond laser pulses effect have been investigated experimentally. The outcomes of the microscopic studies of the periodical structures formed at the surfaces with crystallographic orientation (100), (111), (100) and at the surfaces cut at the angle 6° to the plane (100) as well as on amorphous layers B203 deposited on the Si surface are presented. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками | uk_UA |
| dc.title.alternative | Self organizaton effects in laser processing of semiconductors | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.rights.holder | © Бончик О. Ю., Готра З. Ю., Кияк С. Г., Могиляк І. А., Тростинський І. П., 2001 | uk_UA |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.format.pages | 101–105 | - |
| dc.relation.references | 1. Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Кияк С.Г., Савицький Г.В. Морфология поверхности полупроводников при воздействии импульсного лазерного излучения милисекундной длительности. // Поверхность (физика, химия, механика). 1986. - № З. С. 142 - 144. 2. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Гонов С.Ж., Южанин А.Г. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения. // Доклады АН УССР. Серия А. 1987. №З. С. 61 - 6З. 3. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Южанин А. Г. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием милисекундных лазерных импульсов. // Украинский физический журнал. 1987. 32. № 7. С. 1079 - 1083. 4. Бончик О.Ю., Дацко Б.Й., Демчук В.І., Кияк С.Г., Паливода І.П., Шнир А.Ф. Нестійкості формування локально розплавлених областей на поверхні напівпровідників в зонах дії лазерних імпульсів. // Вісник державного університету “Львівська Політехніка”. 2000. Електроніка. № 397. С. 38 -6З. З. Гафийчук В.В., Гашпар В. Э. Возникновение неоднородных структур при импульсном разогреве полупроводников. // Физика твердого тела. 198З. 27. вып. З. С. 13З4 - 13З8. 6. Гафийчук В.В., Гашпар В.Э.. Квазипериодические температурные поля в полупроводниках при лазерной обработке. // ДАН УССР. 198З. вып. 9, сер. A. С. 74 - 78. | uk_UA |
| dc.citation.journalTitle | Електроніка | - |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.subject.udc | 539.315 | uk_UA |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2001. – №430
|
