Композиційні особливості у-індукованих змін оптичних властивостей трикомпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників

Ковальський, А. П.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/42654

Title:	Композиційні особливості у-індукованих змін оптичних властивостей трикомпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників
Other Titles:	Tompositional features of γ-induced changes of optical properties for ternary systems of chalcogenide semiconductors
Authors:	Ковальський, А. П.
Affiliation:	Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine):	Ковальський А. П. Композиційні особливості у-індукованих змін оптичних властивостей трикомпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників / А. П. Ковальський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 3–10. – Бібліографія: 31 назва.
Journal/Collection:	Електроніка
Issue Date:	2001
Publisher:	Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code):	UA
Place of the edition/event:	Львів
UDC:	539.216.2
Number of pages:	3–10
Abstract:	Проведено порівняльний аналіз характеру композиційних залежностей статич¬ної складової у-індукованих змін оптичного пропускання Ат для різнотипних трик¬омпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників: квазібінарних; хімічно модифікованих зі слабко порушеною стехіометрією; нестехіометричних з широкою варіацією середнього координаційного числа. Встановлено, що особливос¬ті механізму радіаційно-індукованих змін визначаються розмірністю і стехіометрією структурної матриці скла, параметрами вільного об’єму та специфікою радіаційно- індукованого дефектоутворення. Comparative analysis of the pattern of compositional dependencies for the static component of у-induced changes of optical transmittance Ат in the different types of ternary systems of vitreous chalcogenide semiconductors: quasi-binary; chemically modified with weakly broken stoichiometry; non-stoichiometric, with wide variation of the average coordination number has been carried out. It has been established that the features of the mechanism of radiation-induced changes are determined by the dimensionality and stoichiometry of glass structural matrix, the free volume parameters and the specificity of radiation-induced defect formation.
URI:	https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42654
Copyright owner:	© Ковальський А. П., 2001
References (Ukraine):	1. Tanaka K. // Current Opinion in Solid State and Materials Science. 1996. 1. P. 567. 2. Shimakawa K., Yoshida N., Ganjoo A., Kuzukawa Y., Singh J. //Phil. Mag. Lett. 1998. 77. P. 153. 3. Доморяд И.А., Коломиец Б.Т., Любин В.М., Шило В.П. // Физ. и хим. стекла. 1985. 11. C. 595. 4. Shpotyuk O.I., Kovalsky A.P., VakivM.M., Mrooz O.Ya. //Phys. Stat. Sol. A. 1994. 144. C. 277. 5. Shpotyuk O.I., Matkovskii A.O., Kovalsky A.P., Vakiv M.M. // Radiat. Effects and Defects in Solids. 1995. 133. P. 1. 6. Shpotyuk O.I. //Radiat. Phys. Chem. 1995. 46. P. 1279. 7. Shpotyuk O.I., Balitska V.O., Vakiv M.M., Shpotyuk L.I. // Sensors and Actuators A. 1998. 68. P. 356. 8. Minami T., Yoshida A., TanakaM. // J. Non-Cryst. Solids. 1972. 7. P. 328. 9. Minami T., Honjo K., Tanaka M. // J. Non-Cryst. Solids. 1977. 23. P. 431. 10. Chepeleva I.V. // J. Non-Cryst. Solids. 1987. 97-98. P. 1179. 11. Доморяд KA., Коломиец Б.Т. // Изв. АН СССР: Неорган. материалы. 1970. 6. C. 2196. 12. Конорова Л.Ф., Ким Т.И., Жданович Н.С., Литовский М.А. // Физ. и техн. полупроводн. 1987. 21. C. 1300. 13. El-Fouly M.H., El-Behay A.Z., Fayek S.A. // Radiat. Phys. Chem. 1982. 19. P. 57. 14. Kotkata M.F., El-Fouly M.H., Morsy M.A. Physica Scripta. 1984. 29. P. 508. 15. Maged A.F., Wahab L.A., El Kholy I.A. // J. Mater. Science. 1998. 33. P. 3331. 16. Коваль А.П., Минаев B.C., Савицкий И.В., Шпотюк О.И. // Опто¬ электроника и полупроводниковая техника. 1991. 19. C. 81. 17. Ватв М.М., Шпотюк О.Й., Головчак Р.Я., Ковальський А.П., Балицька В. О. // Втник Льв1вського утверситету. 1998. 31. C. 20. 18. Шпотюк О.И., Скордева Е.Р., Головчак Р.Я., Памукчиева В.Д., Ковальский. А.П. //Ж. прикл. спектроскопии. 1999. 66. C. 657. 19. Shpotyuk O.I., Kovalskiy A.P., Skordeva E., Vateva E., Arsova D., Golovchak R.Ya., Vakiv M.M. // Physica B: Condensed Matter. 1999. 271. P. 242. 20. Kavetskyy T.S., Kovalskiy A.P., Pamukchieva V.D., Shpotyuk O.I. // Infrared Phys. Technol. 2000. 41. P. 41. 21. Shpotyuk O.I., GolovchakR.Ya., Kavetsky T.S., Kovalskiy A.P. // Nucl. Instr. Methods Phys. Res. B. 2000. 166-167. P. 517. 22. Skordeva E., Arsova D., Pamukchieva V., Vateva E., Golovchak R., Kovalskiy A., Shpotyuk O. // J. Opto-Electronics Adv. Mater. 2000. 2. P. 259. 23. Шпотюк О.И., Вакив Н.М., Ковальский А.П., Скордева Е., Ватева Е., Памукчиева Д., Головчак Р.Я., Луцив Р.В. // Физ. и хим, стекла. 2000. 26. C. 374. 24. Shpotyuk O.I., Golovchak R.Ya., Kovalskiy A.P., Vakiv M.M., Pamukchieva V.D., Arsova D.D., Skordeva E.R. // Phys. Chem. Glasses. 2001. 42. C. 95. 25. Шпотюк О.Й., Кавецький Т.С., Ковальський А.П., Лущв Р.В., Памукч1ева Д. // Укр. ф1з. ж. 2001. 46. C. 495. 26. Tauc J., Menth A., WoodD.L. //Phys. Rev. Lett. 1970. 25. P. 749. 27. Arsova D. // J. Phys. Chem. Solids. 1996. 57. P. 1279. 28. Фельц А. Аморфны1е и стеклообразным неорганические твердыге тела / Пер. с нем. М., 1986. 29. Tanaka K., Nakayama S.-I. // Jap. J. Appl. Phys. P. 1. 1999. 38. P. 3986. 30. Vlcek M., Frumar M., Vidourek A. // J. Non-Cryst. Solids. 1987. 90. P. 513. 31. Vautier C. // Solid State Phenomena. 2000. 71. P. 249.
Content type:	Article
Appears in Collections:	Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
2_3-10.pdf		216.89 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record

putin IS MURDERER