| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Kim, Jwayeon | |
| dc.contributor.author | Ko, Youngkyu | |
| dc.contributor.author | Park, Kyeongsoon | |
| dc.coverage.temporal | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна | |
| dc.coverage.temporal | May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T13:43:14Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T13:43:14Z | - |
| dc.date.created | 2017-05-29 | |
| dc.date.issued | 2017-05-29 | |
| dc.identifier.citation | Kim J. The Properties of NiO Thin Film as an Anode Buffer Layer in P3HT:PCBM Bulk Hetero-Junction Solar Cell / Jwayeon Kim, Youngkyu Ko, Kyeongsoon Park // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 120. — (4 resistivity switching and transport phenomena). | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40235 | - |
| dc.format.extent | 120 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.relation.ispartof | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 | |
| dc.relation.ispartof | Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017 | |
| dc.title | The Properties of NiO Thin Film as an Anode Buffer Layer in P3HT:PCBM Bulk Hetero-Junction Solar Cell | |
| dc.type | Conference Abstract | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 | |
| dc.contributor.affiliation | Dept. of Materials Engineering, Hoseo University, Asan, Chungnam 336-795, Korea | |
| dc.contributor.affiliation | Faculty of Nanotechnology and Advanced Materials, Sejong University, Seoul 143-747, Korea | |
| dc.format.pages | 1 | |
| dc.identifier.citationen | Kim J. The Properties of NiO Thin Film as an Anode Buffer Layer in P3HT:PCBM Bulk Hetero-Junction Solar Cell / Jwayeon Kim, Youngkyu Ko, Kyeongsoon Park // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 120. — (4 resistivity switching and transport phenomena). | |
| dc.relation.referencesen | [1] H.-L. Yip, S.K. Hau, N.S. Baek, A.K.-Y. Jen, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 193313-1-193313-3. | |
| dc.relation.referencesen | [2] B.C. Thompson, J.M.J Frechet, Chem. Int. Ed 47 (2008) 58-77. | |
| dc.relation.referencesen | [3] H.-K. Park, J.-W. Kang, S.-I. Na, D.-Y. Kim, H.-K. Kim, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (2009) 1994-2002. | |
| dc.relation.referencesen | [4] F.C. Krebs, T. Tromholt, M. Jorgensen, Nanoscale 2 (2010) 873-886. | |
| dc.citation.conference | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування" | |
| dc.citation.journalTitle | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції | |
| dc.citation.spage | 120 | |
| dc.citation.epage | 120 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.
|
