| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Nowicki, M. | |
| dc.contributor.author | Nowak, P. | |
| dc.contributor.author | Szewczyk, R. | |
| dc.coverage.temporal | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна | |
| dc.coverage.temporal | May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T13:43:11Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T13:43:11Z | - |
| dc.date.created | 2017-05-29 | |
| dc.date.issued | 2017-05-29 | |
| dc.identifier.citation | Nowicki M. Negative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction / M. Nowicki, P. Nowak, R. Szewczyk // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 118. — (4 resistivity switching and transport phenomena). | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40233 | - |
| dc.format.extent | 118 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.relation.ispartof | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 | |
| dc.relation.ispartof | Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017 | |
| dc.title | Negative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction | |
| dc.type | Conference Abstract | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 | |
| dc.contributor.affiliation | Institute of Metrology and Biomedical Engineering | |
| dc.contributor.affiliation | Warsaw University of Technology | |
| dc.contributor.affiliation | Boboli 8, 02-525 Warsaw, Poland | |
| dc.contributor.affiliation | m.nowicki@mchtr.pw.edu.pl, * r.szewczyk@mchtr.pw.edu.pl | |
| dc.contributor.affiliation | Industrial Research Institute for Automation and Measurements PIAP | |
| dc.contributor.affiliation | Al. Jerozolimskie 202, 02-486 Warsaw, Poland | |
| dc.contributor.affiliation | pnowak@piap.pl | |
| dc.format.pages | 1 | |
| dc.identifier.citationen | Nowicki M. Negative Dynamic Resistance andMemristive Effects in Zincite-Tungsten Semiconductor Junction / M. Nowicki, P. Nowak, R. Szewczyk // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 118. — (4 resistivity switching and transport phenomena). | |
| dc.relation.referencesen | [1] A. Kołodziejczak-Radzimska, T. Jesionowski, Zinc Oxide—From Synthesis to Application: A Review, Materials 7(4) (2014) 2833-2881. | |
| dc.relation.referencesen | [2] Ü. Özgür, Y.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dođan, V. Avrutin, S.J. Cho, H. Morkoç, A comprehensive review of ZnO materials and devices, J. Appl. Phys. 98 (2005). | |
| dc.citation.conference | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування" | |
| dc.citation.journalTitle | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції | |
| dc.citation.spage | 118 | |
| dc.citation.epage | 118 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.
|
