| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Shchepanskyi, P. A. | |
| dc.contributor.author | Gaba, V. M. | |
| dc.contributor.author | Stadnyk, V. Yo. | |
| dc.contributor.author | Rudysh, M. Ya. | |
| dc.coverage.temporal | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна | |
| dc.coverage.temporal | May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T13:42:09Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T13:42:09Z | - |
| dc.date.created | 2017-05-29 | |
| dc.date.issued | 2017-05-29 | |
| dc.identifier.citation | The Influence of Partial Isomorphic Substitution on Band Structure and Optical Parameters of ABSO4 Group Crystals / P. A. Shchepanskyi, V. M. Gaba, V. Yo. Stadnyk, M. Ya. Rudysh // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 71. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40184 | - |
| dc.format.extent | 71 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.relation.ispartof | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 | |
| dc.relation.ispartof | Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017 | |
| dc.title | The Influence of Partial Isomorphic Substitution on Band Structure and Optical Parameters of ABSO4 Group Crystals | |
| dc.type | Conference Abstract | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 | |
| dc.contributor.affiliation | Ivan Franko National University of Lviv, Str. Kyrylo and Mefodiy 8, 79005 Lviv, Ukraine | |
| dc.contributor.affiliation | Jan Dlugosz University in Częstochowa, Al. Armii Krajowej 13/15, 42-200 Czestochowa, Poland | |
| dc.contributor.affiliation | Lviv Polytechnic National University, Str. S. Bandera 12, 79013 Lviv, Ukraine | |
| dc.format.pages | 1 | |
| dc.identifier.citationen | The Influence of Partial Isomorphic Substitution on Band Structure and Optical Parameters of ABSO4 Group Crystals / P. A. Shchepanskyi, V. M. Gaba, V. Yo. Stadnyk, M. Ya. Rudysh // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 71. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). | |
| dc.relation.referencesen | [1] B. Andriyevsky, M. Jaskolski, V.Y. Stadnyk, M.O. Romanyuk, Z.O. Kashuba, M.M. Romanyuk, Computational Materials Science 79 (2013) 442–447. | |
| dc.relation.referencesen | [2] B. Andriyevsky, K. Doll, M. Jansen, Journal of Physics and Chemistry of Solids 71 (2010) 357–363. | |
| dc.citation.conference | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування" | |
| dc.citation.journalTitle | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції | |
| dc.citation.spage | 71 | |
| dc.citation.epage | 71 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.
|
