| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Onanko, A. P. | |
| dc.contributor.author | Prodayvoda, G. T. | |
| dc.contributor.author | Onanko, Y. A. | |
| dc.contributor.author | Shabatura, A. V. | |
| dc.contributor.author | Onischenko, A. N. | |
| dc.coverage.temporal | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна | |
| dc.coverage.temporal | May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T13:41:49Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T13:41:49Z | - |
| dc.date.created | 2017-05-29 | |
| dc.date.issued | 2017-05-29 | |
| dc.identifier.citation | Inelastic Defect Characteristic Internal Friction in SiO2, GeSi and Anisotropy Automated System “KERN-DP” / A. P. Onanko, G. T. Prodayvoda, Y. A. Onanko, A. V. Shabatura, A. N. Onischenko // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 55. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40166 | - |
| dc.format.extent | 55 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.relation.ispartof | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 | |
| dc.relation.ispartof | Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017 | |
| dc.title | Inelastic Defect Characteristic Internal Friction in SiO2, GeSi and Anisotropy Automated System “KERN-DP” | |
| dc.type | Conference Abstract | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 | |
| dc.contributor.affiliation | Kyiv National University, Kyiv, Ukraine | |
| dc.format.pages | 1 | |
| dc.identifier.citationen | Inelastic Defect Characteristic Internal Friction in SiO2, GeSi and Anisotropy Automated System “KERN-DP” / A. P. Onanko, G. T. Prodayvoda, Y. A. Onanko, A. V. Shabatura, A. N. Onischenko // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 55. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). | |
| dc.citation.conference | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування" | |
| dc.citation.journalTitle | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції | |
| dc.citation.spage | 55 | |
| dc.citation.epage | 55 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.
|
