| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ivashchenko, I. A. | |
| dc.contributor.author | Olekseyuk, I. D. | |
| dc.contributor.author | Halyan, V. V. | |
| dc.contributor.author | Kevshyn, A. H. | |
| dc.contributor.author | Kubatska, T. Y. | |
| dc.contributor.author | Rosolovska, V. M. | |
| dc.contributor.author | Tishchenko, P. | |
| dc.contributor.author | Selezen’, A. | |
| dc.coverage.temporal | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна | |
| dc.coverage.temporal | May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T13:40:05Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T13:40:05Z | - |
| dc.date.created | 2017-05-29 | |
| dc.date.issued | 2017-05-29 | |
| dc.identifier.citation | Physical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals / I. A. Ivashchenko, I. D. Olekseyuk, V. V. Halyan, A. H. Kevshyn, T. Y. Kubatska, V. M. Rosolovska, P. Tishchenko, A. Selezen’ // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 159. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation). | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40044 | - |
| dc.format.extent | 159 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.relation.ispartof | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 | |
| dc.relation.ispartof | Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017 | |
| dc.title | Physical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals | |
| dc.type | Conference Abstract | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 | |
| dc.contributor.affiliation | Department of Inorganic and Physical Chemistry, Eastern European National University, Lutsk, Ukraine | |
| dc.contributor.affiliation | Department of General Physics, Eastern European National University, Lutsk, Ukraine | |
| dc.contributor.affiliation | Ivashchenko.Inna@eenu.edu.ua, inna.ivashchenko@mail.ru | |
| dc.format.pages | 1 | |
| dc.identifier.citationen | Physical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals / I. A. Ivashchenko, I. D. Olekseyuk, V. V. Halyan, A. H. Kevshyn, T. Y. Kubatska, V. M. Rosolovska, P. Tishchenko, A. Selezen’ // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 159. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation). | |
| dc.relation.referencesen | [1] J. Flahaut, M. Guittard, A. M. Loireau-Lozac’h, Rare earth sulphide and oxysulphide glasses, Glass Technology 24(1983) 149 – 156. | |
| dc.relation.referencesen | [2] M. Julien-Pouzol, S. Jaulmes, C. Dagron, Structure du trisulfure de lanthane et de gallium, Acta Crystallogr. B 38 (1982)1566 – 1568. | |
| dc.relation.referencesen | [3] V.V. Halyan, I.V. Kityk, A.H. Kevshyn, I.A. Ivashchenko, G. Lakshminarayana, M.V. Shevchuk, A. Fedorchuk, M. Piasecki, Effect of temperature on the structure and luminescence properties of Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3 glasses, Journal of Luminescence 181 (2017) 315-320. | |
| dc.citation.conference | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування" | |
| dc.citation.journalTitle | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції | |
| dc.citation.spage | 159 | |
| dc.citation.epage | 159 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.
|
