Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/40039
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorSyrotyuk, S. V.
dc.contributor.authorShved, V. M.
dc.contributor.authorKlysko, Yu. V.
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:02Z-
dc.date.available2018-04-02T13:40:02Z-
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.identifier.citationSyrotyuk S. V. The Electronic Properties of the Cubic KMgF3 Perovskite under Pressure Effect / S. V. Syrotyuk, V. M. Shved, Yu. V. Klysko // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 154. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40039-
dc.format.extent154
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.titleThe Electronic Properties of the Cubic KMgF3 Perovskite under Pressure Effect
dc.typeConference Abstract
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.contributor.affiliationLviv Polytechnic National University, 12 S. Bandery Str., 79013 Lviv, Ukraine
dc.format.pages1
dc.identifier.citationenSyrotyuk S. V. The Electronic Properties of the Cubic KMgF3 Perovskite under Pressure Effect / S. V. Syrotyuk, V. M. Shved, Yu. V. Klysko // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 154. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.relation.referencesen[1] G. Pilania, Vinit Sharma, J. Mater. Sci. 48 (2013) 7635–7641.
dc.relation.referencesen[2] T. Nishimatsu, N. Terakubo, H. Mizuseki, Y. Kawazoe, D.A. Pawlak, K. Shimamura, N. Ichinose, T.Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 5082.
dc.relation.referencesen[3] T. Fukuda, K. Shimamura, A. Yoshikawa, E.G. Villora, Opto. Electron. Rev. 9 (2001) 109.
dc.relation.referencesen[4] A.V. Gektin, M.I. Krasovitskaya, N.V. Shiran, Radiat. Meas. 29 (1998) 337.
dc.relation.referencesen[5] X. Gonze, B. Amadon, P.-M. Anglade, J.-M. Beuken et al., Comput. Phys. Commun. 180 (2009) 2582.
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage154
dc.citation.epage154
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
OMEE_2017_Syrotyuk_S_V-The_Electronic_Properties_154.pdf78.74 kBAdobe PDFView/Open
OMEE_2017_Syrotyuk_S_V-The_Electronic_Properties_154__COVER.png993.05 kBimage/pngView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.