Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/40028
Title: Presence of Oxygen in Ti-Al-C MAX Phases-Based Materials and their Stability in Oxidizing Environment at Elevated Temperatures
Authors: Prikhna, T.
Sverdun, V.
Basyuk, T.
Karpets, M.
Ostash, O.
Cabioc`h, Th.
Javorska, L.
Chartier, P.
Ivasyshyn, A.
Moshchil, V.
Kalinka, A.
Cyboroń, J.
Dub, S.
Podhurska, V.
Kovylaev, V.
Starostina, A.
Serbenyuk, T.
Affiliation: Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine
Avtozavodskaya Str., 04074 Kiev, Ukraine
Physico-Mechanical Institute of the National Academy of Sciences of Ukraine
Naukova Str., 79060 Lviv, Ukraine
Universite de Poitiers, CNRS/ Laboratoire PHYMAT, UMR 6630 CNRS Universite de Poitiers SP2MI, BP 30179
F-86962 Chasseneuil Futuroscope Cedex, France
The Institute of Advanced Manufacturing Technology, ul. Wroclawska 37A, 30-011 Krakow, Poland
EDL «Proton 21», 48a Chernovola Str., Kiev's region 08132, Vishnevoe, Ukraine
Bibliographic description (Ukraine): Presence of Oxygen in Ti-Al-C MAX Phases-Based Materials and their Stability in Oxidizing Environment at Elevated Temperatures / T. Prikhna, V. Sverdun, T. Basyuk, M. Karpets, O. Ostash, Th. Cabioc`h, L. Javorska, P. Chartier, A. Ivasyshyn, V. Moshchil, A. Kalinka, J. Cyboroń, S. Dub, V. Podhurska, V. Kovylaev, A. Starostina, T. Serbenyuk // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 144. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
Bibliographic description (International): Presence of Oxygen in Ti-Al-C MAX Phases-Based Materials and their Stability in Oxidizing Environment at Elevated Temperatures / T. Prikhna, V. Sverdun, T. Basyuk, M. Karpets, O. Ostash, Th. Cabioc`h, L. Javorska, P. Chartier, A. Ivasyshyn, V. Moshchil, A. Kalinka, J. Cyboroń, S. Dub, V. Podhurska, V. Kovylaev, A. Starostina, T. Serbenyuk // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 144. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
Is part of: Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
Conference/Event: Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
Journal/Collection: Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
Issue Date: 29-May-2017
Place of the edition/event: Львів
Lviv
Temporal Coverage: 29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
Number of pages: 1
Page range: 144
Start page: 144
End page: 144
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40028
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
References (International): [1] J. Rosen, P.O.Å. Persson, M. Ionescu, A. Kondyurin, D.R. McKenzie, and M.M.M. Bilek, Oxygen incorporation in Ti2AlC thin films, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 064102.
[2] T. Liao, J. Wang, M. Li, and Y. Zhou, First-principles study of oxygen incorporation and migration mechanisms in Ti2AlC, J. Mater. Res. 24(10) (2009) 3190-3196.
Content type: Conference Abstract
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
OMEE_2017_Prikhna_T-Presence_of_Oxygen_in_Ti_Al_144.pdf80.06 kBAdobe PDFView/Open
OMEE_2017_Prikhna_T-Presence_of_Oxygen_in_Ti_Al_144__COVER.png1.34 MBimage/pngView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.