https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/39595| Title: | Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію |
| Other Titles: | Volt-ampere charateristics of metal-semiconductors structure on the base of polycrystal silicon |
| Authors: | Цмоць, В. М. Хляп, Г. М. Паньків, Л. І. Лабовка, Д. В. Петренко, В. В. Новоставський, Р. В. |
| Affiliation: | Національний університет "Львівська політехніка" |
| Bibliographic description (Ukraine): | Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію / В. М. Цмоць, Г. М. Хляп, Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, В. В. Петренко, Р. В. Новоставський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 103–109. – Бібліографія: 5 назв. |
| Journal/Collection: | Вісник Національного університету "Львівська політехніка" |
| Issue Date: | 2002 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" |
| Country (code): | UA |
| Place of the edition/event: | Львів |
| UDC: | 621.315 |
| Number of pages: | 103-109 |
| Abstract: | Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39595 |
| Copyright owner: | Цмоць В. М., Хляп Г. М., Паньків Л. І., Лабовка Д. В., Петренко В. В., Новоставський Р. В., 2002 |
| References (Ukraine): | 1. Коугия К.В., Теруков Е.И. / / Физика и техника полупроводников. - 2001. - 35. - C. 643-648. 2. ГоревН.Б., ПрохоровЕ.Ф., Уколов А.Т. //Микроэлектроника. -1994. -2 4 . - C. 42-47. 3. Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. - М., 1989. - 344 с. 4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. T. 1. - М., 1984. - 454 с. 5. Hernandez E. / / Cryst. Res. Technol. - 1998. -1 4 . - P. 285-290. |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2002. – №455 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 20_103-109.pdf | 151.03 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.