https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/39584| Title: | Двійникування у плівках CdHgTe |
| Other Titles: | Twinning in films CdHgTe |
| Authors: | Рудий, І. О. Курило, І. В. Лопатинський, І. Є. Вірш, І. С. Фружинський, М. С. |
| Affiliation: | Національний університет "Львівська політехніка" |
| Bibliographic description (Ukraine): | Двійникування у плівках CdHgTe / І. О. Рудий, І. В. Курило, І. Є. Лопатинський, І. С. Вірт, М. С. Фружинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 45–50. – Бібліографія: 18 назв. |
| Journal/Collection: | Вісник Національного університету "Львівська політехніка" |
| Issue Date: | 2002 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" |
| Country (code): | UA |
| Place of the edition/event: | Львів |
| UDC: | 539.383 : 548.24 |
| Number of pages: | 45-50 |
| Abstract: | Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39584 |
| Copyright owner: | Рудий І. 0., Курило І. В., Лопатинський І. Є., Вірт І. С., Фружинський М. С., 2002 |
| References (Ukraine): | 1. Кокейн Д., Лу Г., Сикорский А. / / Изв. А Н СССР. Сер. физическая. - 1987. - 51. - C. 722-727. 2. Дворецкий С.А., Бударных В.Н., Гутаковский А.К. и др. / / Докл. А Н СССР. - 1989. - 304. - С. 604-606. 3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин B.C. и др. / / Физ. и техн. полупроводников. - 2000. - 35. - С. 1092-1101. 4. Румш М.А., Новик Ф.Т., Зимкина Т.М. / / Кристаллография. -1962. - 7. - С. 873-877. 5. Семилетов С.А. / / Кристаллография. - 1956. - 1 .- С. 306-310. 6. Палатник Л. С., Бойко Б. Т., Сорокин В.К., Виноградов В.Е. / / Изв. А Н CCC. Неорган. материалы. - 1971. - 7. - С. 1132-1135. 7. Палатник Л.С., Бойко Б.Т., Сорокин В.К. и др. / / Изв. А Н СССР. Неорган. материалыг. - 1971. - 7. - С. 1960-1965. 8. Потыгкевич И.В., Завалин И.В., Филиппова А.Н. и др. / / Физ. электроника. - 1974. - 8. - С. 50-52. 9. Панчеха П.А., Алавердова О.Г., Гнидаш В.И. / / Укр. физ. журн. 2000. 45. С. 75-80 10. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальныге пленки соединений A11B V1. - Л., 1978. 11. Yasushi Yoshioka, Kazuhiro Shimizu, Katsuhiko Takagaki, Masanobu Kasuga / / J. Cryst. Growth. - 2000. - 217. - P. 102-108. 12. Virt 1., Kuzma M.,Wisz G., Rudyj 1., Fruginskii M., Kurilo 1., Lopatynskii 1. / / Mol. Phys. Reports. - 1999. - 23. - P. 206-209. 13. Rudyi 1.О., Kurilo 1.V., FrugynskyjM.S., KuzmaM ., ZawislakJ., Virt 1.S. / / Appl. Surface Sci. - 2000. -1 5 4 -1 5 5 . - P. 206-210. 14. Virt 1.S., Bester M., Dumanski L., Kuzma M., Rudyi 1.О., Frugynskyi M.S., Kurilo 1.V. // Appl. Surface Sci. - 2001. - 177. - P. 201-206. 15. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурныге превращения в ионныгх пленках. - М., 1988. 16. Cheung J.T. / / Laser-controlled Chem. Process. Surfaces. Symp., Boston, Mass, 14-16 Nov., 1983. NewYork e.a. - P. 301-309. 17. Kuzma M., Sheregii E., Wisz G., Gorbach T.Ya., Smertenko P.S., Ciach R , Rakowska A. // Mol. Phys. Rep. - 1999. - 23. - P. 157-161. 18. Бертулис К.П., Ясутис В.В. / / Литовский физ. сб. - 1981. - XXI. - С. 81. |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2002. – №455 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 9_45-50.pdf | 616.24 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.