https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/39577
Title: | Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленням |
Other Titles: | Fabrication of thin layers of aluminium nitride by laser-magnetron deposition |
Authors: | Бобицъкий, Я. В. Котлярчук, Б. К. Попович, Д. І. Середницький, А. С. |
Affiliation: | Національний університет «Львівська політехніка» |
Bibliographic description (Ukraine): | Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленням / Я. В. Бобицъкий, Б. К. Котлярчук, Д. І. Попович, А. С. Середницький // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 3–9. – Бібліографія: 8 назв. |
Journal/Collection: | Вісник Національного університету "Львівська політехніка" |
Issue Date: | 2002 |
Publisher: | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" |
Country (code): | UA |
Place of the edition/event: | Львів |
UDC: | 621.315.592 |
Number of pages: | 3-9 |
Abstract: | Подані результати експериментальних досліджень процесів імпульсного реактивного лазерно-магнетронного напилення тонких шарів AIN, AlN:Mn та формування їх структурних і катодолюмінесцентних характеристик. Встановлено, що основними технологічними факторами, які визначають властивості конденсату, є густина потужності лазерного імпульсу, температура підкладки, тиск азоту в реакційній камері та потужність паро-плазмового розряду. Проведено комплекс експериментальних робіт із вивчення механічних напружень у системі AlN - Al2O3 аналізом пружних деформацій. We report on the results of experimental investigations of processes of pulse lasermagnetron reactive deposition and formation structural and cathodoluminescent characteristics of AlN, AlN:Mn thin films. It was established that, the main factors which determine condensate properties are laser pulse density, substrate temperature, nitrogen pressure in the reactive chamber and energy of vapor-plasma discharge. Report on complex of experimental works on investigation of mechanical stresses in AlN - Al2O3 system was conducted by analysis of elastic deformation. |
URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39577 |
Copyright owner: | Бобицький Я. В., Котлярчук Б. К., Попович Д. І., Середницький А. С. |
References (Ukraine): | 1. Strite S., Lin M., Morkoc H. / / Thin Sol. Films. - 199S. - 231. - P. 197-210. 2. Kotlyarchuk B.K., Popovych D.I. / / Proceedings o f SPIE. - 2000. - 4148. - P. 247-251. S. Kotlyarchuk B.K., Popovych D.I., Shvets M .J.// International School-Conference on Physical Problems in Material Science o f Semiconductors (PPM SS’99). 7-12 September 1999. Chernivtsi, Ukraine. - P.12. 4. Бобицъкий Я.В., Котлярчук Б.К., Попович Д.1., Савчук B.K. / / Вісн. Н У “Львівська політехінка”. - 2000. - № 401. - С. S-8. 5. Гофман P. У. Физика тонких пленок. - 1968. - 3. - С. 225-298. 6. Caldwell M.L., Richardson H.H., Kordesh M.E. / / Symposium W, “Gallium Nitride and Related A lloys” at the 1999 Fall M eeting o f the Materials Research Society held in Boston, Massachusetts, November 28-December 3. 7. Karel F., Mares J. // Czech. J. Phys. - 1972. - 22. - P. 847. 8. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика. - K., 1979. - 336 с. |
Content type: | Article |
Appears in Collections: | Електроніка. – 2002. – №455 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.