Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/39161
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, С.-
dc.contributor.authorІванців, Н.-
dc.contributor.authorІванців, В.-
dc.date.accessioned2017-09-19T08:42:46Z-
dc.date.available2017-09-19T08:42:46Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationНовосядлий С. Особливості і моделі травлення в субмікронній технології великих інтегральних схем / С. Новосядлий, Н. Іванців, В. Іванців // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2002. – № 444 : Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 48–56. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39161-
dc.description.abstractНа основі експериментальних досліджень рідинного та плазмохімічного травлення розроблені моделі ізотропного та анізотропного травлення функціональних шарів при формуванні субмікронних структур великих інтегральних схем (ВІС). In virtue of an experimental research of the liquid and plasma-chemical etching of functional layers the models of isotropic and anisotropic etching have been developed in the engineering process of submicron structures of the large-scale integrated circuits.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету «Львівська політехніка»uk_UA
dc.titleОсобливості і моделі травлення в субмікронній технології великих інтегральних схемuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Комп'ютерні системи проектування теорія і практика. – 2002. – №444

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
7_48-56.pdf170.35 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.