| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-08-03T06:53:36Z | - |
| dc.date.available | 2017-08-03T06:53:36Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Осадчук В. C. Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах / В. C. Осадчук, О. В. Осадчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 45–55. – Бібліографія: 14 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38601 | - |
| dc.description.abstract | Розглянуто математичну модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного залежно від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоретичних розрахунків у межах 5 %.
The mathematical model of photoreactive effect in structure of metal-insulator- semiconductor that which describes dependence of full resistance of structure channel on signal frequency and oprical radiation power is considered in this paper. It is shown that channel resistance changes from capacitive to inductive and it depends on radiation power. Experimental tests confirm theoretical calculations in limit of 5 %. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.title | Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427
|
