Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/38029
Title: Вплив типу та локалізації дефекту в транзисторах на шумові параметри підсилювачів
Authors: Нічога, Віталій
Остап, Олег
Дуб, Петро
Bibliographic description (Ukraine): Нічога В. Вплив типу та локалізації дефекту в транзисторах на шумові параметри підсилювачів / Віталій Нічога, Олег Остап, Петро Дуб // Вісник Державного університету «Львівська політехніка». – 2001. – № 428 : Хімія, технологія речовин та їх застосування. – С. 74–82. – Бібліографія: 24 назви.
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract: Представлено аналітичні дослідження впливу типу і розташування дефектів транзистора на шумові параметри підсилювача за умови моделювання канонічною еквівалентною шумовою схемою. Запропоновано два узагальнюючі діагностуючі параметри, які мають найбільшу чутливість до дефектів. Analytical investigation of influence of transistor defects type and localization on noise parameters of amplifiers are presented using modeling by the canonical equivalent noise scheme. Two generalized diagnostics parameters giving the highest sensitivity to defects are proposed.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38029
Content type: Article
Appears in Collections:Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2001. – №428

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15_74-82.pdf199.96 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.