Властивості пасивувальних шарів у гетероструктурах (анодний оксид, СdТе) / НgСdТе

Abstract

Під час виготовлення фотодетекторів на основі Hg-l-xCdxTe використовують гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад анодний oкcид/Hgl-xCdxTe та CdTe/Hg\-xCdxTe. Досліджено гетероструктури - пасивувавальний шар анодного оксиду, пасивувальний шар О'dTЄ (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку Hg^-xCdxTЄ, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Структуру пасиву вальних шарів досліджено методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовано метод Х-променевої дифрактометрії. Визначено сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджено методом мікротвердості. Подано також електрофізичні та фотоелектричні параметри епі- таксійних плівок Hgl-xCdxTe. There is an increasing interest in the use of CdT e and Hg1¡xCdxTe compounds as a base for infrared detectors. Thin films heterostructures anodic oxide=Hg1¡xCdxTe and CdTe=Hg1¡xCdxTe are very often used in the photodetectors fabrication process. In present work we investigated he-terostructures consisting of molecular beam epitaxy grown monocrystalline Hg1-xCdxTe active film with either anodic oxide and monocrystalline or polycrystalline passivation CdTe layer. The structural properties and surface morphology of passivating layers were studied by reflection high-energy electron diffraction method. The inuence of passivation layer structure on the properties of active film was also studied by means of XRD technique and the lattice parameter of active layer was determined. The mechanical properties of heterostuctures were investigated by microhardness method. Electrophysical and photoelectric parameters of epitaxial Hg1¡xCdxTe films were measured.