Моделювання електричних характеристик нанорозмірного транзистора

Abstract

Розглянуто можливість формалізації фізичних процесів в одноелектронному транзисторі (ОЕТ). З усіх розглянутих методів моделювання нанотранзисторів найбільш близькою до реальних умов роботи цих елементів є функція Гріна для неврівноважених процесів, оскільки вона враховує квантову природу електрона за рахунок поєднання Гамільтоніана і хвильової функції Шредінгера. Це дає можливість через функцію Гріна моделювати електричні характеристики ОЕТ. Ця робота ще вдосконалюється, але перші результати близькі до реальних характеристик. Theoretical modeling of physical processes in one-electron transistor (OET) is considered in present article. Among all considered theoretical methods for nanotransistors modeling most close to real operation of this element is Green function for non-equilibrium processes because it considers quantum nature of electron combining Hamiltonian and Schrödinger wave function. This allows modeling of OET electric characteristics through Green function. Present work is in process but first results are very close to real characteristics.