DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Бахматюк, Б. П. | - |
dc.contributor.author | Бордун, І. М | - |
dc.contributor.author | Григорчак, І. І. | - |
dc.contributor.author | Дорош, Л. А. | - |
dc.contributor.author | Міцов, М. М. | - |
dc.contributor.author | Підлужна, А. Ю. | - |
dc.date.accessioned | 2016-01-27T10:59:38Z | - |
dc.date.available | 2016-01-27T10:59:38Z | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.citation | Особливості термодинамікита кінетики інтеркалювання природного шаруватого тальку / Б. П. Бахматюк, І. М. Бордун, І. І. Григорчак, Л. А. Дорош, М. М. Міцов, А. Ю. Підлужна // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 512 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 49–55. – Бібліографія: 4 назви. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/31137 | - |
dc.description.abstract | Доведено можливість інтеркалювання шаруватого силікату-тальку літієм. Тео¬ретичні розрахунки хімпотенціалу методом функцій Гріна на основі узагальненої моделі Ізінга добре підтверджують одержані експериментальні дані. Показано, що подрібнення тальку призводить до зменшення опору перенесення заряду та до збільшення швидкості дифузії, що істотно покращує розрядні рактеристики талькового катода в літієвому джерелі струму. There is the possibility of talk intercalation by Lithium are proved in this work. The theoretical evaluation of chemical potential by the Green function method based on generalised Izing model confirms experimental data well. The dispersion of talk gives decrease of resistance of charge transfer and increase diffusion velocity. The discharge characteristics of talk cathode in the lithium electrochemical cells become much better. | uk_UA |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Національного університету «Львівська політехніка» | uk_UA |
dc.title | Особливості термодинамікита кінетики інтеркалювання природного шаруватого тальку | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2004. – № 512
|