DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Сиротюк, С.В. | - |
dc.contributor.author | Кинаш, Ю.Є. | - |
dc.contributor.author | Краєвський, С.Н. | - |
dc.date.accessioned | 2015-12-23T13:49:22Z | - |
dc.date.available | 2015-12-23T13:49:22Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.citation | Сиротюк С. В. Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалах / С. В. Сиротюк, Ю. Є. Кинаш, С. Н. Краєвський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 147–151. – Бібліографія: 9 назв. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30923 | - |
dc.description.abstract | Виведені розрахункові алгоритми матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії для кристалів зі складними елементарними комірками у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Порівняні методики введення потенціалу спін-орбітальної взаємодії у методі змішаного базису, порівняно з псевдопотенціальними наближенням.The algorithms of the spin-orbital interaction matrix have been derived for crystals with complex structure withim the mixed basis of one-particle states, including core Bloch states and plane waves. The comparison of methods of the spin-orbital interaction potential inclusion,derived within ab initio atomic pseudopotential approach and with mixed basis has benn made. The much consecutiveness of the mixed basis approach in spin-orbital interaction potential evaluation has been ststed as compared to pseudopotential apporoxim | uk_UA |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
dc.title | Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалах | uk_UA |
dc.title.alternative | The evalutionof matrix of the spin-orbital interaction potential on mixed basis in semiconductor crystals | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Електроніка. – 2003. – №482
|