Нерівноважні методи оброблення матеріалів з викоритстанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації

Abstract

Запропоновані і апробовані методи лазерного оброблення матеріалів, які дають змогу формувати різкі p-n переходи на основі власнодефектних та легованих напівпровідників. Проведено порівняльний аналіз ефективності методів лазерного рідкофазного та твердофазного легування напівпровідників домішками, нанесеними на поверхню матеріалів. Показано, що найбільший ефект для цілей оптимізації лазерного оброблення напівпровідників досягається під час комбінованої дії на напівпровідник випромінювання від двох лазерів, які працюють в різних спектральних, енергетичних і часових режимах. Досліджено особливості автолегування епітаксійних шарів домішкою, джерелом якої слугувала імплантована заданою дозою іонів поверхня підкладки. Methods of laser treatment of materials were suggested and approbated. Comparative analysis of laser liquid phase and solid phase doping methods effectiveness with the help of admixtures on the surface of the materials was carried out. It is shown that the biggest effect for optimization of laser treatment of semiconductors is reached during multiaction of the radiation of two laser which work in different spectral, power and time regimes. The peculiarities of autodoping of epitaxial layers by admixture were examined. The source of admixture was the surface of the underlayer where the set quantity of ions was implanted.