Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/30581
Title: Хімічні технології отримання пористого кремнію для сонячних елементів
Authors: Єрохов, В. Ю.
Bibliographic description (Ukraine): Єрохов В. Ю. Хімічні технології отримання пористого кремнію для сонячних елементів / В. Ю. Єрохов // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 129–133. – Бібліографія: 16 назв.
Issue Date: 2006
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract: Показана перспективність хімічних технологій отримання пористого кремнію (por-Si) для створення фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Використання текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, із застосуванням використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Хімічне (фарбувальне) травлення є потенційно перспективним технологічним напрямом створення пористих структур і може замінити електрохімічне травлення на певних етапах технології виготовлення електронних пристроїв та приладів для оптоелектронного використання з por-Si. Показані принципи створення базових розчинів, особливості ініціалізації процесу травлення кремнієвих підкладок різної провідності для СЕ. The perspectivity of silicon as material for the solar energy convertors (SEC) was shown. Textures utilization as effective and profitable macro porous silicon (MPS) -based coatings with using of acid technology’s must to be maximal adapted to process of decision of silicon based solar elements. Acid etching is potentially perspective technological route for design of porous structure. It may be replace by electrochemical etching at the some stage of production technology of electron devices for photovoltaic and optical electron application with por-Si. The principles of design of base solutions and features of initialization of etching process of silicon substrates of different conductivity for CE are shown.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30581
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2006. – №569

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
28-129-133.pdf316.81 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.