DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Кеньо, Г. В. | - |
dc.contributor.author | Богдановський, Ю. М. | - |
dc.contributor.author | Гасько, Л. З. | - |
dc.contributor.author | Полюжин, І. П. | - |
dc.contributor.author | Мищишин, В. М. | - |
dc.date.accessioned | 2015-12-17T10:28:36Z | - |
dc.date.available | 2015-12-17T10:28:36Z | - |
dc.date.issued | 2006 | - |
dc.identifier.citation | Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках / Г. В. Кеньо, Ю. М. Богдановський, Л. З. Гасько, І. П. Полюжин, В. М. Мищишин // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 120–125. – Бібліографія: 5 назви. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30557 | - |
dc.description.abstract | Досліджено кінетичні параметри синтезу боросилікатних сполук загального складу (SiO2)x(B2O3) y (H2O)n дериватографічним методом в температурному інтервалі 20–1500оС. На основі цих кінетичних параметрів здійснено вибір температури та часу синтезу шихти твердих планарних джерел (ТПД) бору . Для моделювання оптимальних умов роботи ТПД бору можна використати дані з втрати маси, що отримні гравіметричним методом під час випаровування (950–1050oC) оксиду бору з поверхні джерел.
Main kinetiks parameters was investigated for synthesis of boron silica glass of general composition as (SiO2)x(B2O3)y(H2O)n by derivatographical method in temperature range 20–1500оC. On these kinetiks data the selection of temperature and time was made for synthesis of raw mixture for boron solid planar sources (B-SPS) obtaining. For modeling
optimal conditions of B-SPS operation the mass loss, which was investigated by gravimetric method at evaporation (950-1050 oC) of boron oxide from B-SPS surface, can be used. | uk_UA |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
dc.title | Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2006. – №569
|