https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/30135| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Невзоров, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Смеркло, Л. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-16T09:22:07Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-16T09:22:07Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Невзоров В. В. Вибір оптимальної форми комірки та варіанта їх розміщення на кристалі при проектуванні ДМОН ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 471 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 84–87. – Бібліографія: 7 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30135 | - |
| dc.description.abstract | Розглянуто вплив форми комірок та їх розташування на опір потужного ДМОН транзистора у відкритому стані. Показано, що трикутні комірки мають перевагу над комірками квадратної та гексагональної форми. Considered the influence of cell’s form and their disposition on resistance of powerful MOS transistor in open state. It is shown, that three-cornered cells get advantage in compare of square and hexagonal forms. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Вибір оптимальної форми комірки та варіанта їх розміщення на кристалі при проектуванні ДМОН ПТ | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Комп'ютерні системи проектування теорія і практика. – 2003. – №471 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.