Дослідження термометричного матеріалу Ті1-xYxNiSn

Abstract

Досліджено енергетичні, електрокінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Ti1-xYxNiSn у діапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Y 9,5 1019 NA » × см-3 ( x = 0,005 )÷1,9×1021 см-3 ( x = 0,10 ) і напруженості магнітного поля H £ 10 кГс. Показано, що характеристики матеріалу Ti1-xYxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. Исследованы энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики термометрического материала Ti1-xYxNiSn в диапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Y 9,5 1019 NA » × см-3 ( x = 0,005 ) ÷ 1,9×1021 см3 ( x = 0,10 ) и напряженности магнитного поля H £ 10 кГс. Показано, что характеристики материала Ti1-xYxNiSn чувствительны к изменению температуры и он может быть основой для изготовления чувствительных элементов термопреобразователей. The electron energy state, magnetic and transport characteristics of of thermometric materials Ti1-xYxNiSn were investigated in the T = 80 ¸ 400 K temperature range and at charge carriers concentration from Y 9,5 1019 NA » × сm-3 ( x = 0,005 )÷1,9×1021 сm-3 ( x = 0,10 ) and H £ 10 kGs. The material Ti1-xYxNiSn is sensitive to the temperature change and could be used as the basis for the sensitive thermoelectric devices.