https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/24025| Title: | Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O |
| Other Titles: | Inverse current mechanisms in photosensitive Au/CdTe:O structures |
| Authors: | Герман, І. І. Махній, В. П. Черних, О. І. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв. |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | Телурид кадмію поверхнево-бар’єрний діод надбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струм тунелювання ударна іонізація cadmium telluride surface-barrier diode generation-recombination current tunneling impact ionization |
| Abstract: | Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24025 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2013. – №764 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 14-88-91.pdf | 209.05 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.