DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Сльотов, М. М. | - |
dc.contributor.author | Герман, І. І. | - |
dc.contributor.author | Сльотов, О. М. | - |
dc.date.accessioned | 2014-03-20T09:22:55Z | - |
dc.date.available | 2014-03-20T09:22:55Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Сльотов М. М. Вплив ізовалентної домішки Са на властивості ІІ-VI сполук / М. М. Сльотов, І. І. Герман, О. М. Сльотов // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 92–94. – Бібліографія: 3 назви. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24002 | - |
dc.description.abstract | Досліджено вплив ізовалентної домішки кальцію на електричні та оптичні властивості шарів CdTe, ZnSe. Показано, що домішка Ca спричиняє інверсію
електронної провідності та утворення фоточутливих p-n-переходів. Оптичні та люмінесцентні властивості свідчать про формування генераційно-рекомбінаційних процесів у крайовій області. The effect of Ca isovalent impurity on electrical and optical properties of CdTe, ZnSe layers is studied. It is shown that Ca impurity causes an inversion in electronic conductivity and formation of photosensitive p-n-junctions. Optical and luminescence properties show the presence of generation-recombination processes in near band range. | uk_UA |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
dc.subject | селенід цинку | uk_UA |
dc.subject | телурид кадмію | uk_UA |
dc.subject | ізовалентна домішка | uk_UA |
dc.subject | інверсія провідності | uk_UA |
dc.subject | крайова люмінесценція | uk_UA |
dc.subject | zinc selenide | uk_UA |
dc.subject | cadmium telluride | uk_UA |
dc.subject | isovalent impurity | uk_UA |
dc.subject | conductivity inversion | uk_UA |
dc.subject | near band luminescence | uk_UA |
dc.title | Вплив ізовалентної домішки Са на властивості ІІ-VI сполук | uk_UA |
dc.title.alternative | Effect of ca isovalent impurity on properties of II-VI compounds | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Електроніка. – 2013. – №764
|