Динаміка політипів в кристалах GaSe та InSe

Abstract

Досліджена динаміка політипних структур у матеріалах GaSe та InSe методом ЯКР. Дослідження були проведені на свіжовирощених та відпалених кристалах. Тонка структура спектрів ЯКР дозволяє ідентифікувати політипні модифікації та їхній відносний вміст у кристалічній матриці. Зроблено висновок, що в досліджених монокристалах GaSe та InSe, вирощених за методом Бріджмена, для перших існують суміш ε і γ політипів з переважанням ε-політипу, а для InSe, відповідно, – γ-політипу. The dynamics of the polytypes structures in GaSe and InSe materials are investigated by NQR method. The researches were carried out on as-grown and annealed crystals. The thin structure of the NQR spectra allows to identify polytype modifications and their relative maintenance in the crystal matrix. It is concluded that the investigated GaSe and InSe single crystals grown by the Bridgman method are a mixture of different polytypes – the ε and γ ones with prevailing the ε – polytype in the first case whereas the γ – polytype is dominant for InSe.