Ефекти монолітизації структури термочутливої кераміки CU0.1NI0.8CO0.2MN1.9O4

Abstract

Вивчено особливості структури нової технологічно-модифікованої напівпровідникової кераміки Cu0.1Ni0.8Co0.2Mn1.9O4 для сенсорів температури методом позитронної анігіляційної спектроскопії. Встановлено, що вміст додаткової фази NiO поблизу меж зерен має вирішальне значення в процесах монолітизації структури кераміки і відображається в інтенсивності компонент анігіляційного спектра. Виявлений ефект зумовлений значною кількістю енергії, термічно переданої досліджуваній кераміці під час спікання. The structural features of new semiconducting transition-metal manganite Cu0.1Ni0.8Co0.2Mn1.9O4 ceramics for temperature sensors with improved functional reliability are studied with positron annihilation lifetime spectroscopy. It is established that the amount of additional NiO phase in these ceramics extracted during sintering play a decisive role. This effect is well revealed only in ceramics having a character fine-grain microstructure, while the monolithization of ceramics caused by great amount of transferred thermal energy reveals an opposite influence.