Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/2356
Title: Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини
Authors: Ромака, В. А.
Крайовський, Р.
Ромака, Л. П.
Bibliographic description (Ukraine): Ромака В. А. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини / В. А. Ромака, Р. Крайовський, Л. П. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 639 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 163–168. – Бібліографія: 6 назв.
Issue Date: 2009
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Keywords: акцепторні домішки
кристалічна структура
Abstract: Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2356
Content type: Article
Appears in Collections:Автоматика, вимірювання та керування. – 2009. – №639

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
23.pdf312.87 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.