Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/2192
Title: Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електронної та кристалічної структур
Authors: Ромака, В. А.
Стадник, Ю. В.
Ромака, В. В.
Лагун, А. Е.
Bibliographic description (Ukraine): Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електронної та кристалічної структур / В. А. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, А. Е. Лагун // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 574 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 104–108. – Бібліографія: 5 назв.
Issue Date: 2007
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract: Розраховано розподіл електронної густини (DOS) та досліджено структурні характеристики інтерметалевого напівпровідника ZrNiSn1-xInx, х = 0 ÷ 0,15. Виявлено локальні струк- турні розупорядкування та запропоновано механізм взаємного заміщення атомів Zr, Sn та In. The structural descriptions and electronic density of states (DOS) calculation, as well concentration range х = 0 ÷ 0.15 impurity concentrations for the ZrNiSn1-xInx intermetallic semiconductor. The local disorderings in the ZrNiSn1-xInx lattice were found and the mechanism of the reciprocal substitution of the Zr, Sn, and In atoms was proposed.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2192
Content type: Article
Appears in Collections:Автоматика, вимірювання та керування. – 2007. – №574

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
19.pdf670.54 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.