| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Петрушка, А. І. | - |
| dc.contributor.author | Матвійків, Т. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-11T08:13:35Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-11T08:13:35Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Петрушка А. І. Перспективи застосування мікроелектромеханічних систем (мікросхем на кристалі) структури «кремній-на-ізоляторі», побудованих на спеціалізованих базових матричних кристалах, в технології буріння / А. І. Петрушка, Т. М. Матвійків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 680 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 161–164. – Бібліографія: 7 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/21244 | - |
| dc.description.abstract | Аналізуються перспективи застосування мікроелектромеханічних систем (МЕМС), побудованих на спеціалізованих базових матричних кристалах (БМК)
структури «кремній-на-ізоляторі» (КНІ), в технології глибокого та направленого буріння, яка характеризується наявністю високих температур, агресивних середовищ та значних механічних впливів.
The article deals with analysis of the perspective of micromechanical systems (MEMS) application, based on specialize basic matrix crystals (BMC) of «silicon-on-insulator» (SOI) structure, in technology of deep and direct boring, which are characterized by high temperatures, aggressive environment and considerable mechanical influences. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.title | Перспективи застосування мікроелектромеханічних систем (мікросхем на кристалі) структури «кремній-на-ізоляторі», побудованих на спеціалізованих базових матричних кристалах, в технології буріння | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2010. – №680
|
