Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/19941
Title: Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів
Authors: Логуш, О. І.
Білинський, Ю. М.
Bibliographic description (Ukraine): Логуш О. І. Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів / О. І. Логуш, Ю. М. Білинський// Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доповідей, 5–7 квітня 2011 р., Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – С. 41.
Issue Date: 2011
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/19941
Content type: Article
Appears in Collections:Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – 2011 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
38-41-41.pdf156.65 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.