Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/16067
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorCиротюк, С. В.-
dc.date.accessioned2012-12-03T10:50:59Z-
dc.date.available2012-12-03T10:50:59Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationВаків М. М. Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb / М. М. Ваків, С. І. Круковський, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 151–156. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16067-
dc.description.abstractРозраховані електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA та LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, отриманому за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника ніж одночастинкові теорії. The electron energy spectrum in silicon crystal has been calculated within the LDA and LDA GW approximations. Comparison with experiment shows that the LDA GW approximation, due to adequate screening, obtained using the Green's function formalism, better describes the excited states of semiconductor than the single particle approaches.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectтеорія функціонала густини електронівuk_UA
dc.subjectзонні енергії електронівuk_UA
dc.subjectнаближення LDA GWuk_UA
dc.subjectDFT approachuk_UA
dc.subjectelectron band energiesuk_UA
dc.subjectLDA GW approximationuk_UA
dc.titleЕлектронний енергетичний спектр кремнію з урахуванням квазічастинкових поправокuk_UA
dc.title.alternativeElectronic energy band spectrum of silicon crystal with quasiparticle correctionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Електроніка. – 2012. – №734

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
22-Cyrotyuk-151-156.pdf306.89 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.