Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides

Museur, L.; Anglos, D.; Kanaev, A.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Museur, L.	-
dc.contributor.author	Anglos, D.	-
dc.contributor.author	Kanaev, A.	-
dc.date.accessioned	2012-10-12T11:19:14Z	-
dc.date.available	2012-10-12T11:19:14Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.citation	Museur L. Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides / L. Museur, D. Anglos, A. Kanaev // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 129–130. – Bibliography: 3 titles.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15228	-
dc.description.abstract	Strong modifications of semiconducting oxides can be provoked by high-density electronic excitation above the Mott density. This regime corresponds to the manifestation of electron-hole plasma continuum. The nanostructuring of monocrystalline zinc oxide in this regime is correlated with elongation of the inter-crystalline planes and intensification of exciton photoluminescence.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Видавництво Львівської політехніки	uk_UA
dc.subject	femtosecond laser processing	uk_UA
dc.subject	high-density electronic excitation	uk_UA
dc.subject	ZnO	uk_UA
dc.subject	surface nanostructuring	uk_UA
dc.title	Electronic excitation mediated structuring of semiconducting oxides	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

putin IS MURDERER