https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15174
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Onanko, A. P. | - |
dc.contributor.author | Kulish, M. P. | - |
dc.contributor.author | Lyashenko, O. V. | - |
dc.contributor.author | Prodayvoda, G. T. | - |
dc.contributor.author | Vyzhva, S. A. | - |
dc.contributor.author | Onanko, Y. A. | - |
dc.date.accessioned | 2012-10-11T08:00:08Z | - |
dc.date.available | 2012-10-11T08:00:08Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Inelastic-elastic properties of SiO2, SiO2 + TiO2 + ZrO2 / A. P. Onanko, M. P. Kulish, O. V. Lyashenko, G. T. Prodayvoda, S. A. Vyzhva, Y. A. Onanko // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 81–82. – Bibliography: 6 titles. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15174 | - |
dc.description.abstract | A non-destructive method for the technological control of the structure defects in SiO2 + Si wafers by measuring the internal friction background difference on the nearby harmonics f1 and f2 after mechanical and heat treatments. | uk_UA |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
dc.subject | elastic module | uk_UA |
dc.subject | internal friction | uk_UA |
dc.subject | structure defects | uk_UA |
dc.subject | dislocations | uk_UA |
dc.subject | microstructure | uk_UA |
dc.title | Inelastic-elastic properties of SiO2, SiO2 + TiO2 + ZrO2 | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р. |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
32_81_82_OMEE_2012.pdf Restricted Access | 124.74 kB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.