Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15160
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorPopielarski, P.-
dc.contributor.authorPaprocki, K.-
dc.contributor.authorBała, W.-
dc.contributor.authorBanaszak-Piechowska, A.-
dc.contributor.authorWalczyk, K.-
dc.contributor.authorFabisia, K.-
dc.contributor.authorSzybowicz, M.-
dc.date.accessioned2012-10-10T13:38:25Z-
dc.date.available2012-10-10T13:38:25Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationRaman and impedance spectroscopy of blend polycarbonate and inc oxide layers grown by sol−gel method / P. Popielarski, K. Paprocki, W. Bała, A. Banaszak-Piechowska, K. Walczyk, K. Fabisia, M. Szybowicz // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 45–46. – Bibliography: 10 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15160-
dc.description.abstractConfocal Raman spectroscopy has been applied to investigate blend polycarbonate and ZnO thin layers with different thicknesses and different content of ZnO. The admittance spectroscopy has been applied to correlation of optical and electrical properties of these layers used in electroluminescence diodes and photovoltaic cells. The thermally stimulated current (TSC) and I-V (DC and AC) characteristics have been applied to the study of the deep levels in ZnO thin films grown by sol−gel method onto Si substrates. The surface morphology of the samples were investigated by scanning microscopy and X ray diffraction.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectzinc oxideuk_UA
dc.subjectthin layersuk_UA
dc.subjectRaman spectrauk_UA
dc.subjectimpedance spectroscopyuk_UA
dc.titleRaman and impedance spectroscopy of blend polycarbonate and inc oxide layers grown by sol−gel methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15_45_46_OMEE_2012.pdf
  Restricted Access
119.71 kBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.