Skip navigation
DSpace logo
  1. Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
  2. Електронний архів Науково-технічної бібліотеки
  3. Матеріали конференцій
  4. Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування.
  5. Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15154
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorKrajewski, T. A.-
dc.contributor.authorSmertenko, P. S.-
dc.contributor.authorLuka, G.-
dc.contributor.authorWachnicki, L.-
dc.contributor.authorCherevko, A.-
dc.contributor.authorOlkhovik, G.-
dc.contributor.authorZakrzewski, A. J.-
dc.contributor.authorGodlewski, M.-
dc.contributor.authorGuziewicz, E.-
dc.date.accessioned2012-10-10T13:28:48Z-
dc.date.available2012-10-10T13:28:48Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationElectrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures / T. A. Krajewski, P. S. Smertenko, G. Luka, L. Wachnicki, A. Cherevko, G. Olkhovik, A. J. Zakrzewski, M. Godlewski, E. Guziewicz // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 35–36. – Bibliography: 8 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15154-
dc.description.abstractThis paper reports on the Ag/HfO2/ZnO/TiAu Schottky structures, in which the semiconducting ZnO and HfO2 layers are obtained using the low temperature Atomic Layer Deposition (ALD) method. Basing on the thermionic emission, differential and injection approaches an optimal thickness of HfO2 capping layer for the ZnO-based diode was found to be about 2.5 nm.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectZnO-based Schottky diodeuk_UA
dc.subjectcurrent–voltage characteristicsuk_UA
dc.subjectdifferential approachuk_UA
dc.subjectatomic layer deposition (ALD)uk_UA
dc.titleElectrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
10_35_36_OMEE_2012.pdf
  Restricted Access		137.72 kBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.