https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/11525| Title: | Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур |
| Other Titles: | Low-temperature liquid-phase epitaxy of p-Si layers in composition of p-i-n Si high-voltage structures |
| Authors: | Ваків, М. М. Круковський, С. І. Тимчишин, В. Р. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Ваків М. М. Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 50–54. – Бібліографія: 4 назви. |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | сильно леговані шари епітаксіальні структури висока підстава відчутний опір liquid-phase epitaxy heavily doped layers epitaxial structures the high substrate resistivity |
| Abstract: | Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11525 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2011. – №708 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.