Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/11444
Title: Термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу у шаруватих напівпровідниках
Authors: Товстюк, К. К.
Bibliographic description (Ukraine): Товстюк К. К. Термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу у шаруватих напівпровідниках / К. К. Товстюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 131–136. – Бібліографія: 6 назв.
Issue Date: 2000
Publisher: Видавництво Державного університету "Львівська політехніка"
Abstract: Розраховано термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу в шаруватих кристалах (ШК) із врахуванням особливостей одночастинкового спектра. Отримано залежності термодинамічного потенціалу, ентропії, рівняння для визначення хімпотенціалу, які порівнюються з аналогічними виразами у кристалах з параболічною дисперсією. Показано, що температурна залежність розрахованих величин у ШК узгоджується із відомими для кристалів із парабоолічною дисперсією, в той час як параметри одночастинкового спектра та хімпотенціал визначаються зовсім іншими функціональними залежностями. The thermodynamic functions are calculated for the quantum electron gas in layered crystals, using the specification features of a one-partiсal spectrum there. The dependence of the rmodynamic potential, entropy, as well as the equation for Fermi level definition are found out and compared to similar expressions in isotropic crystals. Shown, that the temperature dependence of the designed expressions in LC are in agreement with the same ones for isotropic crystals, while parameters of an onepartical spectrum and Fermi level are defined by other functional dependence.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11444
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2000. – №397

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
24.pdf1.62 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.