https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/11440| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кособуцький, П. С. | - |
| dc.contributor.author | Данилов, А. Б. | - |
| dc.contributor.author | Прокопчук, О. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-02-09T10:04:28Z | - |
| dc.date.available | 2012-02-09T10:04:28Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Кособуцький П. С. Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером / П. С. Кособуцький, А. Б. Данилов, О. Л. Прокопчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 66–70. – Бібліографія: 4 назви. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11440 | - |
| dc.description.abstract | Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Державного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2000. – №397 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.