Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги

Abstract

Розглянуто результати розробки інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги на принципі формування напруги, яка числово дорівнює ширині забороненої зони кремнію. Проведено дослідження та аналіз стабільності дже- рела при зміні температури та напруги живлення. Results of development are discussed concerning the low-level reference voltage source based on the principle of forming a potential equivalent to the silicon bandgap width. Investigations are performed and analysis is carried out at changing temperature and supply voltage.